ইলেকট্রনিক্স

33 পোস্ট

ইলেকট্রনিকস (Electronics)

ইলেকট্রনিকস শব্দটির উৎপত্তি “ইলেকট্রন” থেকে। ইলেকট্রনিকস পদার্থের মধ্যে ইলেকট্রনের গতি বিধি নিয়ন্ত্রণের কলাকৌশলের উপর প্রতিষ্ঠিত। ভ্যাকুয়াম, গ্যাস, সেমিকন্ডাক্টর বা সেমিকন্ডাক্টর জাতীয় পদার্থের মধ্যে ইলেকট্রন চলাচল নিয়ন্ত্রণ ও পরিচালনা করে কারেন্ট প্রবাহকে নিয়ন্ত্রণ করাই ইলেকট্রনিকস কৌশল।

ইলেকট্রনিকস ইঞ্জিনিয়ারিং (Electronics Engineering)

ইলেকট্রনিকস শব্দটির উৎপত্তি “ইলেকট্রন” থেকে। ইলেকট্রনিকস পদার্থের মধ্যে ইলেকট্রনের গতি বিধি নিয়ন্ত্রণের কলাকৌশলের উপর প্রতিষ্ঠিত। ভ্যাকুয়াম, গ্যাস, সেমিকন্ডাক্টর বা সেমিকন্ডাক্টর জাতীয় পদার্থের মধ্যে ইলেকট্রন চলাচল নিয়ন্ত্রণ ও পরিচালনা করে কারেন্ট প্রবাহকে নিয়ন্ত্রণ করা ইলেকট্রনিকস ইঞ্জিনিয়ারিং।

ইলেকট্রন (Electron)

ইলেকট্রন পরমাণুর ক্ষুদ্রতম কণা যা একটি ঋণাত্মক তড়িৎ আধান বহন করে। ইলেকট্রন লেপ্টন শ্রেনীভুক্ত। একে e-, β-  দ্বারা প্রকাশ করা হয়। এটি প্রধানত তড়িৎ-চুম্বকীয় মিথষ্ক্রিয়ায় অংশগ্রহণ করে। নিউক্লিয়াসের সঙ্গে একত্র হয়ে ইলেকট্রন পরমাণু তৈরি করে এবং এর রাসায়নিক বন্ধনে অংশগ্রহণ করে। মূলত ইলেকট্রন চলাচলের দরুন কঠিন পরিবাহীতে বিদ্যুতের প্রবাহ ঘটে। […]

অর্ধপরিবাহী বা সেমিকন্ডাক্টর (Semiconductor)

যে সকল পদার্থের ইলেকট্রিক্যাল বৈশিষ্ট্য পরিবাহী এবং অপরিবাহী পদার্থের মাঝামাঝি সেগুলো সেমিকন্ডাক্টর বা অর্ধপরিবাহী। এই পদার্থের পরমাণুর সর্বশেষ কক্ষপথে চারটি ইলেকট্রন থাকে। এদের পরিবাহীতা পরিবাহী এবং অপরিবাহী পদার্থের পরিবাহীতার মাঝামাঝি এবং পরিবাহীতা 10-3 – 10-6 /Ohm/cm । এর ভ্যালেন্স ব্যান্ড ইলেকট্রন দিয়ে আংশিক পূর্ণ থাকে এবং কন্ডাকশন ব্যান্ড প্রায় খালি […]

পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর (P-Type Semiconductor)

পিওর সিলিকন বা জার্মেনিয়াম পরমাণুর সাথে একটি ত্রি-যোজী পরমাণু অপদ্রব্য বা ভেজাল হিসেবে যুক্ত করলে তার তিনটি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন নিকটবর্তী তিনটি সিলিকনের ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সাথে শেয়ারিং এর মাধ্যমে কো-ভ্যালেন্ট বন্ড সৃষ্টি করে। কিন্তু তার যোজ্যতা ইলেকট্রনের ঘাটতি থাকায় চতুর্থ সিলিকনটির সাথে বন্ধন তৈরি করতে পারে না। ফলে একটি ফাঁকা স্থান […]

এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর (N-Type Semiconductor)

যখন পিওর সিলিকন ক্রিস্টালে একটি পঞ্চ-যোজী পরমাণু ভেজাল হিসেবে প্রবেশ করানো হয় বা মিশানো হয়, তখন পঞ্চ-যোজী পরমাণুর চারটি ইলেকট্রন নিকটতম চারটি সিলিকন পরমাণুর ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সাথে শেয়ারিং এর মাধ্যমে কো-ভ্যালেন্ট বন্ড সৃষ্টি করে তার ভ্যালেন্স ব্যান্ডকে আটটি ইলেকট্রন দ্বারা পূর্ণ করে। ফলে পঞ্চ-যোজী পরমাণুর একটি অতিরিক্ত ইলেকট্রন মুক্ত হয়ে […]

ব্রেক ডাউন ভোল্টেজ (Break Down Voltage)

পি-এন জাংশন ডায়োডে রিভার্স বায়াসিং করে, রিভার্স ভোল্টেজ বৃদ্ধি করতে থাকলে একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজ অতিক্রম করার পর পি-এন জাংশনটি ভেঙ্গে যায় এবং অত্যাধিক পরিমাণ কারেন্ট প্রবাহিত হতে থাকে। ডায়োডের এই অবস্থাকে ব্রেক ডাউন এবং এ সময়ের ভোল্টেজকে ব্রেক ডাউন ভোল্টেজ বলে। বিভিন্ন রেটিং এর ডায়োডের ব্রেক ডাউন ভোল্টেজ বিভিন্ন হয়।

নী ভোল্টেজ বা অফসেট ভোল্টেজ (Knee Voltage or Offset Voltage)

পি-এন জাংশন ডায়োড ফরওয়ার্ড বায়াসে সর্বনিম্ন যে ভোল্টেজে কন্ডাকশন করে তাকে নী-ভোল্টেজ বলে। সিলিকনের নী-ভোল্টেজ 0.7 এবং জার্মেনিয়ামের নী-ভোল্টেজ 0.3 ভোল্টেজ।

খাঁটি সেমিকন্ডাক্টর (Intrinsic Semiconductor)

খাঁটি সেমিকন্ডাক্টরে কোন ভেজাল মেশানো থাকে না। সিলিকন, জার্মেনিয়াম ইত্যাদি খাঁটি সেমিকন্ডাক্টর। শূন্য ডিগ্রি সেলসিয়াস তাপমাত্রায় খাঁটি সেমিকন্ডাক্টর অপরিবাহীর মত আচরণ করে। তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে ভ্যালেন্স ব্যান্ডের ইলেকট্রন কন্ডাকশন ব্যান্ডে যায় এবং আংশিক পরিবাহীর মত আচরণ করে। সিলিকন এবং জার্মেনিয়ামের ভ্যালেন্স ব্যান্ড ও কন্ডাকশন ব্যান্ডের মাঝে ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ 1.1 […]

ভেজাল সেমিকন্ডাক্টর (Extrinsic Semiconductor)

খাঁটি সেমিকন্ডাক্টরে উপযুক্ত পরিমাণ অন্য কোন পদার্থ ভেজাল হিসেবে মিশ্রিত করে ভেজাল সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করা হয়। ত্রিযোজী এবং পঞ্চযোজী মৌল গেলিয়াম, ইন্ডিয়াম, অ্যালুমিনিয়াম, বোরোন, আর্সেনিক, অ্যান্টমনি, ফসফরাস ইত্যাদি মৌল ভেজাল হিসেবে মিশ্রিত করা হয়। ভেজাল সেমিকন্ডাক্টর দুই প্রকার: ১. এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর (N-Type Semiconductor) ২. পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর (P-Type Semiconductor)