এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর (N-Type Semiconductor)

যখন পিওর সিলিকন ক্রিস্টালে একটি পঞ্চ-যোজী পরমাণু ভেজাল হিসেবে প্রবেশ করানো হয় বা মিশানো হয়, তখন পঞ্চ-যোজী পরমাণুর চারটি ইলেকট্রন নিকটতম চারটি সিলিকন পরমাণুর ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সাথে শেয়ারিং এর মাধ্যমে কো-ভ্যালেন্ট বন্ড সৃষ্টি করে তার ভ্যালেন্স ব্যান্ডকে আটটি ইলেকট্রন দ্বারা পূর্ণ করে। ফলে পঞ্চ-যোজী পরমাণুর একটি অতিরিক্ত ইলেকট্রন মুক্ত হয়ে যায়, তখন এই মুক্ত ইলেকট্রনটি কন্ডাকশন ব্যান্ড অরবিটে চলে যায়। এভাবে ডোপিং এর পরিমাণ বৃদ্ধি করে কন্ডাকশন ব্যান্ডের ইলেকট্রন বৃদ্ধি করা যায়। ফলে মেজোরিটি চার্জ ক্যারিয়ার হয় ইলেকট্রন অন্যদিকে থার্মাল এনার্জির অধীনে উৎপাদিত হোলের পরিমাণ কম। ইলেকট্রন যেহেতু নেগেটিভ চার্জ বহন করে, এজন্য এভাবে গঠিত ভেজাল সেমিকন্ডাক্টরকে এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর বলে।

পঞ্চ-যোজী পরমাণুকে দাতা পরমাণু বলা হয়, কারণ এরা কন্ডাকশন ব্যান্ডে ইলেকট্রন উৎপন্ন করে। দাতা পরমাণু গুলো হল আর্সেনিক, অ্যান্টিমনি এবং ফসফরাস।